Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRFH7110TR2PBF
Numero di parte del produttoreIRFH7110TR2PBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile101000 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRFH7110TR2PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRFH7110TR2PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-TQFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRFH7110TR2PBF

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