Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRFSL59N10D
Numero di parte del produttoreIRFSL59N10D
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile167180 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRFSL59N10D.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRFSL59N10D
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRFSL59N10D

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