ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com IRLI610ATU
Numero di parte del produttoreIRLI610ATU
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile81350 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRLI610ATU.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRLI610ATU
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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