IXYS Distributore www.qycomp.com IXTA1R6N100D2
Numero di parte del produttoreIXTA1R6N100D2
fabbricanteIXYS
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile66300 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IXTA1R6N100D2.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IXTA1R6N100D2
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXTA)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IXTA1R6N100D2

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