IXYS Distributore www.qycomp.com IXTH1N170DHV
Numero di parte del produttoreIXTH1N170DHV
fabbricanteIXYS
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile139100 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IXTH1N170DHV.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IXTH1N170DHV
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 290W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247HV
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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