| Numero di parte del produttore | JAN1N5809US |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi Corporation |
| Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori - Singoli |
| Quantità disponibile | 158720 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | JAN1N5809US.pdf |
| Numero di parte | JAN1N5809US |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 6A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | JAN1N5809US |
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