Numero di parte del produttore | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
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fabbricante | Micron Technology Inc. |
Categoria di prodotto | Memoria |
Quantità disponibile | 52510 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IC FLASH 4G PARALLEL WAFER |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1.pdf |
Numero di parte | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.95 V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
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