| Numero di parte del produttore | MT41K512M8V00HWC1 |
|---|---|
| fabbricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria di prodotto | Memoria |
| Quantità disponibile | 83050 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL DIE |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MT41K512M8V00HWC1.pdf |
| Numero di parte | MT41K512M8V00HWC1 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.283 V ~ 1.45 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | MT41K512M8V00HWC1 |
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