ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com NJVMJD112T4G
Numero di parte del produttoreNJVMJD112T4G
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Quantità disponibile147720 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati NJVMJD112T4G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte NJVMJD112T4G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max 20W
Frequenza - Transizione 25MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio NJVMJD112T4G

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