Nexperia USA Inc. Distributore www.qycomp.com PMZB200UNEYL
Numero di parte del produttorePMZB200UNEYL
fabbricanteNexperia USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile157430 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V SOT883
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati PMZB200UNEYL.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte PMZB200UNEYL
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 89pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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