Nexperia USA Inc. Distributore www.qycomp.com PSMN1R0-25YLDX
Numero di parte del produttorePSMN1R0-25YLDX
fabbricanteNexperia USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile94120 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizionePSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati PSMN1R0-25YLDX.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte PSMN1R0-25YLDX
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.89 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5308pF @ 12V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio PSMN1R0-25YLDX

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