Rohm Semiconductor Distributore www.qycomp.com RQ3E080GNTB
Numero di parte del produttoreRQ3E080GNTB
fabbricanteRohm Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile99910 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RQ3E080GNTB.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RQ3E080GNTB
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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