Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com TPC8012-H(TE12L,Q)
Numero di parte del produttoreTPC8012-H(TE12L,Q)
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile454544 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TPC8012-H(TE12L,Q).pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TPC8012-H(TE12L,Q)
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TPC8012-H(TE12L,Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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