Numero di parte del produttore | TPS1101DG4 |
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fabbricante | Texas Instruments |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 62640 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | TPS1101DG4.pdf |
Numero di parte | TPS1101DG4 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +2V, -15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 791mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | TPS1101DG4 |
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