Taiwan Semiconductor Corporation Distributore www.qycomp.com TSM60NB190CM2 RNG
Numero di parte del produttoreTSM60NB190CM2 RNG
fabbricanteTaiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile28440 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 18A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TSM60NB190CM2 RNG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TSM60NB190CM2 RNG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1273pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150.6W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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Taiwan Semiconductor Corporation Distributore

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