Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com ZXMN6A08GQTC
Numero di parte del produttoreZXMN6A08GQTC
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile193010 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFETN-CH 60VSOT223
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati ZXMN6A08GQTC.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte ZXMN6A08GQTC
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 459pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio ZXMN6A08GQTC

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