IDT, Integrated Device Technology Inc 配給業者 www.qycomp.com 70V3579S6BF
製造業者識別番号70V3579S6BF
メーカーIDT, Integrated Device Technology Inc
製品カテゴリメモリ
利用可能な数量91630 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード 70V3579S6BF.pdf

製品の属性

部品番号 70V3579S6BF
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
メモリの種類 Volatile
メモリフォーマット SRAM
技術 SRAM - Dual Port, Synchronous
メモリー容量 1.125Mb (32K x 36)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
アクセス時間 6ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 3.15 V ~ 3.45 V
動作温度 0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 208-LFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 208-CABGA (15x15)
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 70V3579S6BF

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