Microsemi Corporation 配給業者 www.qycomp.com APTM120DA30CT1G
製造業者識別番号APTM120DA30CT1G
メーカーMicrosemi Corporation
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量181600 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード APTM120DA30CT1G.pdf

製品の属性

部品番号 APTM120DA30CT1G
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 560nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 14560pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 657W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SP1
パッケージ/ケース SP1
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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