製造業者識別番号 | APTM50DDA10T3G |
---|---|
メーカー | Microsemi Corporation |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 130330 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | APTM50DDA10T3G.pdf |
部品番号 | APTM50DDA10T3G |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 500V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 37A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 96nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4367pF @ 25V |
電力 - 最大 | 312W |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | SP3 |
サプライヤデバイスパッケージ | SP3 |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | APTM50DDA10T3G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 APTM50DDA10T3G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 APTM50DDA10T3G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます APTM50DDA10T3G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Microsemi Corporation 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Microsemi Corporation そして トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 私たちから。 といった MAP6KE110A, MAP6KE110AE3, MAP6KE110CA, MAP6KE110CAE3, MAP6KE11A, MAP6KE11AE3, MAP6KE11CA, MAP6KE11CAE3, MAP6KE120A, MAP6KE120AE3 SI1023CX-T1-GE3, BSS84V-7, DMN1029UFDB-7, SSM6N58NU,LF, AO4629, ECH8697R-TL-W, SSM6N57NU,LF, TT8M1TR, DMN5L06DMK-7, DMN601DMK-7.
購入 Microsemi Corporation APTM50DDA10T3G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。