| 製造業者識別番号 | BTS113ANKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 165060 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | BTS113ANKSA1.pdf |
| 部品番号 | BTS113ANKSA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 40W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | P-TO220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | BTS113ANKSA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 BTS113ANKSA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 BTS113ANKSA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます BTS113ANKSA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ESD300B102LRHE6327XTSA1, ESD105B102ELSE6327XTSA1, ESD110B102ELSE6327XTSA1, ESD204B102ELSE6327XTSA1, ESD207B102ELSE6327XTSA1, ESD208B102ELSE6327XTSA1, BGF153E6327XTSA1, ESD218B102ELE6327XTMA1, ESD108B1CSP0201XTSA1, ESD200B1CSP0201XTSA1 2N7008-G, IRFH5302TRPBF, NTMFS5C456NLT1G, SI4686DY-T1-E3, IRLR2905TRLPBF, CSD17578Q5AT, DMP3008SFGQ-13, FQD2N90TM, TN5325N3-G, IRFR120TRPBF.
購入 Infineon Technologies BTS113ANKSA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。