製造業者識別番号 | EPC2101ENGRT |
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メーカー | EPC |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 145660 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | EPC2101ENGRT.pdf |
部品番号 | EPC2101ENGRT |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A, 38A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 2mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 2.7nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 30V |
電力 - 最大 | - |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | Die |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | EPC2101ENGRT |
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