ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com FDB0165N807L
製造業者識別番号FDB0165N807L
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量161700 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET N-CH 80V 310A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード FDB0165N807L.pdf

製品の属性

部品番号 FDB0165N807L
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 310A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.6 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 304nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 23660pF @ 40V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 FDB0165N807L

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