| 製造業者識別番号 | FDB045AN08A0 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 37130 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDB045AN08A0.pdf |
| 部品番号 | FDB045AN08A0 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 75V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Ta), 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 138nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6600pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 310W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDB045AN08A0 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDB045AN08A0, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDB045AN08A0, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDB045AN08A0, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった NSI45035JZT1G, FAN4010IL6X-F113, NSI50350ADT4G, NSVMUN5211DW1T3G, NSVMUN5213DW1T3G, EMC5DXV5T1G, NSBC114TDXV6T1G, NSBC143ZDP6T5G, SMUN5335DW1T1G, NSVMUN5312DW1T2G FDD1600N10ALZ, IPD25N06S4L30ATMA2, IRFR9120NTRPBF, IRF9321TRPBF, ZXMN6A08GTA, FDD8780, IPD50N04S4L08ATMA1, CPC3960ZTR, SIS414DN-T1-GE3, ZXMP10A17E6QTA.
購入 ON Semiconductor FDB045AN08A0 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。