| 製造業者識別番号 | FDB8160 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 30130 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDB8160.pdf |
| 部品番号 | FDB8160 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 243nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11825pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 254W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDB8160 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDB8160, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDB8160, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDB8160, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ECH8102-TL-H, FJD3076TM, KSH32CTF, KSH210TF, 2SD1624T-TD-E, SS9014ABU, SS9012HBU, 2SB1124T-TD-E, NSV60600MZ4T1G, MJD44H11TF IPZ40N04S55R4ATMA1, BSP296NH6327XTSA1, BSP297H6327XTSA1, TN5325K1-G, DMP4010SK3Q-13, IRFR3709ZTRPBF, PSMN2R8-25MLC,115, SQS484EN-T1_GE3, FDD770N15A, FQD8P10TM.
購入 ON Semiconductor FDB8160 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。