製造業者識別番号 | FDC6561AN |
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メーカー | ON Semiconductor |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
利用可能な数量 | 21890 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | FDC6561AN.pdf |
部品番号 | FDC6561AN |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 95 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 3.2nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 220pF @ 15V |
電力 - 最大 | 700mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | FDC6561AN |
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