| 製造業者識別番号 | FDG312P |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 60610 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FDG312P.pdf |
| 部品番号 | FDG312P |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 750mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FDG312P |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FDG312P, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FDG312P, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FDG312P, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05A230T3G, MMT05A260T3G, MMT05B350T3G, MMT08B064T3, MMT08B064T3G, MMT08B260T3G, MMT08B350T3G, NP0640SAT3G IXFN60N80P, TPH3205WSBQA, IXFN120N20, IXFN100N50P, IXTX90N25L2, VS-FB190SA10, APT77N60JC3, STY112N65M5, IXFN150N65X2, IXFN36N100.
購入 ON Semiconductor FDG312P 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。