ON Semiconductor 配給業者 www.qycomp.com FDN338P_G
製造業者識別番号FDN338P_G
メーカーON Semiconductor
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
利用可能な数量116760 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明INTEGRATED CIRCUIT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード FDN338P_G.pdf

製品の属性

部品番号 FDN338P_G
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±8V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 451pF @ 10V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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