| 製造業者識別番号 | FQD12N20LTM |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 23250 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FQD12N20LTM.pdf |
| 部品番号 | FQD12N20LTM |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1080pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FQD12N20LTM |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FQD12N20LTM, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FQD12N20LTM, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FQD12N20LTM, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった NST857BDP6T5G, EMX2DXV6T5G, EMT1DXV6T5G, SBC857CDW1T1G, NSVBT2222ADW1T1G, EMX1DXV6T5G, EMX1DXV6T1G, NST65011MW6T1G, SMBT3906DW1T1G, MCH6203-TL-E FDD8770, DMNH6042SPDQ-13, FQD2N60CTM-WS, DMT6010LPS-13, IRLR3410PBF, DI9435T, TPH4R003NL,L1Q, SQJ418EP-T1_GE3, FDMS5361L-F085, VN2460N8-G.
購入 ON Semiconductor FQD12N20LTM 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。