| 製造業者識別番号 | FQI9N50TU |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 152620 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | FQI9N50TU.pdf |
| 部品番号 | FQI9N50TU |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 730 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | FQI9N50TU |
QY Componentsには、最高の価格があります。 FQI9N50TU, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 FQI9N50TU, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます FQI9N50TU, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 1N5238BTR, 1N5239B_S00Z, 1N5239B_T50A, 1N5239B_T50R, 1N5240B_S00Z, 1N5240B_T50A, 1N5241B_S00Z, 1N5241B_T50A, 1N5241B_T50R, 1N5242B_S00Z SSM6K217FE,LF, DMN2005LPK-7, CEDM8001VL TR, SSM3K59CTB,L3F, SSM6H19NU,LF, SSM6K504NU,LF, CEDM7004VL TR, RHK005N03T146, DMG6402LDM-7, RQ3E100BNTB.
購入 ON Semiconductor FQI9N50TU 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。