| 製造業者識別番号 | GP1M011A050FH |
|---|---|
| メーカー | Global Power Technologies Group |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 133710 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | GP1M011A050FH.pdf |
| 部品番号 | GP1M011A050FH |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 670 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1423pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 51.4W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | GP1M011A050FH |
QY Componentsには、最高の価格があります。 GP1M011A050FH, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 GP1M011A050FH, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます GP1M011A050FH, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Global Power Technologies Group 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Global Power Technologies Group そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GP1M005A050CH, GP1M005A050FH, GP1M005A050H, GP1M005A050PH, GP1M006A065CH, GP1M006A065F, GP1M006A065PH, GP1M006A070F, GP1M008A025CG, GP1M008A025FG IPZA60R037P7XKSA1, STI57N65M5, IXFH21N50F, FCH043N60, IPW60R040CFD7XKSA1, STW47NM60ND, TSM60NB041PW C1G, TPH3208LSG, SIHG70N60EF-GE3, SIHW61N65EF-GE3.
購入 Global Power Technologies Group GP1M011A050FH 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。