| 製造業者識別番号 | GP2M012A080NG |
|---|---|
| メーカー | Global Power Technologies Group |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 20480 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | GP2M012A080NG.pdf |
| 部品番号 | GP2M012A080NG |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 79nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3370pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 416W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | GP2M012A080NG |
QY Componentsには、最高の価格があります。 GP2M012A080NG, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 GP2M012A080NG, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます GP2M012A080NG, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Global Power Technologies Group 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Global Power Technologies Group そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった GHIS100A120T2C1, GCMS040A120B3C1, GCMS020A120B1H1, GCMS010A120S7B1, GCMS008A120B1B1, GCMS007A120S7B1, GCMS004A120S7B1, GP1M018A020PG, GP2M004A060PG, GP1M020A050N PSMN7R6-60BS,118, STD6N62K3, CSD17301Q5A, IPD60R380P6ATMA1, SI7110DN-T1-E3, PSMN012-80BS,118, CSD19534Q5AT, IRFZ44NSTRLPBF, FQB33N10LTM, FDD3672.
購入 Global Power Technologies Group GP2M012A080NG 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。