| 製造業者識別番号 | IPA80R650CEXKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 25980 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPA80R650CEXKSA1.pdf |
| 部品番号 | IPA80R650CEXKSA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Discontinued at Digi-Key |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 470µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 33W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220 Full Pack |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPA80R650CEXKSA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPA80R650CEXKSA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPA80R650CEXKSA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPA80R650CEXKSA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ICE3A1065ELJFKLA1, ICE3RBR4765JZXKLA1, ICE3B1565JFKLA1, ICE2QR0680ZXKLA1, ICE3AR0680VJZXKLA1, ICE5QSAGXUMA1, ICE2QS02GXUMA1, ICE5AR4770AGXUMA1, ICE1HS01G1XUMA1, ICE3RBR1765JGXUMA1 DMN2112SN-7, MCH3475-TL-E, BUK7M33-60EX, BUK7M21-40EX, AON6452, RV2C014BCT2CL, DMN3042LFDF-7, ZXMN3F30FHTA, NVTR01P02LT1G, PMPB10XNEZ.
購入 Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。