| 製造業者識別番号 | IPB06N03LB G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 12480 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB06N03LB G.pdf |
| 部品番号 | IPB06N03LB G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 40µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2782pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 83W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPB06N03LB G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPB06N03LB G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPB06N03LB G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPB06N03LB G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BDP953H6327XTSA1, BDP954H6327XTSA1, BFN38H6327XTSA1, BFN39H6327XTSA1, BSP50H6327XTSA1, BSP52H6327XTSA1, BSP60H6327XTSA1, BSP61H6327XTSA1, BSP62H6327XTSA1, PZTA14H6327XTSA1 STD6NK50ZT4, FDD6685, IPD80R1K4CEATMA1, TPN1R603PL,L1Q, TN5335K1-G, ZXMP4A16KTC, DMTH6004SK3-13, SI7315DN-T1-GE3, FDD6635, ZXMN10A25GTA.
購入 Infineon Technologies IPB06N03LB G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。