| 製造業者識別番号 | IPB80N04S306ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 36770 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPB80N04S306ATMA1.pdf |
| 部品番号 | IPB80N04S306ATMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 52µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 47nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3250pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 100W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPB80N04S306ATMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPB80N04S306ATMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPB80N04S306ATMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPB80N04S306ATMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IR11671ASTRPBF, AUIR3240S, BC847CE6327HTSA1, MMBT2222ALT1HTSA1, AUIRS20302S, CHL8515CRT, CHL8550CRT, IR1169SPBF, BCV47E6327HTSA1, BCX41E6327HTSA1 SI2321-TP, NVA4001NT1G, PMZB290UN,315, PMZB670UPE,315, CSD13380F3, SI1012-TP, DMP2045U-7, PMZB950UPEYL, TSM650P02CX RFG, PMXB65UPEZ.
購入 Infineon Technologies IPB80N04S306ATMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。