| 製造業者識別番号 | IPD04N03LB G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 175200 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD04N03LB G.pdf |
| 部品番号 | IPD04N03LB G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 70µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 40nC @ 5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5200pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 115W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPD04N03LB G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPD04N03LB G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPD04N03LB G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPD04N03LB G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ICE3A1065ELJFKLA1, ICE3RBR4765JZXKLA1, ICE3B1565JFKLA1, ICE2QR0680ZXKLA1, ICE3AR0680VJZXKLA1, ICE5QSAGXUMA1, ICE2QS02GXUMA1, ICE5AR4770AGXUMA1, ICE1HS01G1XUMA1, ICE3RBR1765JGXUMA1 ZXMP10A13FQTA, ATP106-TL-H, SI4800BDY-T1-E3, ZVP4525GTA, FDME905PT, ZVNL110ASTZ, BUK9840-55/CUX, ZXMN6A11GTA, SI4143DY-T1-GE3, IPZ40N04S58R4ATMA1.
購入 Infineon Technologies IPD04N03LB G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。