| 製造業者識別番号 | IPD65R1K4CFDBTMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 47760 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf |
| 部品番号 | IPD65R1K4CFDBTMA1 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 262pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 28.4W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPD65R1K4CFDBTMA1 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPD65R1K4CFDBTMA1, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPD65R1K4CFDBTMA1, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPD65R1K4CFDBTMA1, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IRMCF311TY, IRSM515-025PATR, IRSM836-045MATR, IRMCF588QTR, IRMCF588QTY, IRDM982-025MBTR, IRDM982-025MB, BTM781GPAUMA1, IRAM538-1565A, IR3220STR RSE002P03TL, SI3473DDV-T1-GE3, DMN3021LFDF-7, AO6409, SSM3J353F,LF, BUK7Y102-100B,115, DMN25D0UFA-7B, SSM3J114TU(T5L,T), AON7416, SI2318DS-T1-E3.
購入 Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。