| 製造業者識別番号 | IPI16CNE8N G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 177100 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPI16CNE8N G.pdf |
| 部品番号 | IPI16CNE8N G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 85V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 53A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 61µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3230pF @ 40V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 100W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPI16CNE8N G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPI16CNE8N G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPI16CNE8N G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPI16CNE8N G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった TZ425N18KOFHPSA1, TD270N16KOFBPSA1, TD250N14KOFHPSA1, TD251N14KOFHPSA1, TZ400N20KOFHPSA1, TD250N18KOFHPSA1, TD251N18KOFHPSA1, TT270N16KOFHPSA1, TT215N20KOFHPSA1, TDB6HK95N16LOFHOSA1 IPZA60R180P7XKSA1, FDA70N20, STV200N55F3, STFI20NK50Z, TSM60NB099CF C0G, SIHG22N50D-E3, STP13NM60ND, SIHG22N60AE-GE3, FDA20N50-F109, AUIRF2804S.
購入 Infineon Technologies IPI16CNE8N G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。