| 製造業者識別番号 | IPI80CN10N G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 129760 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPI80CN10N G.pdf |
| 部品番号 | IPI80CN10N G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 80 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 12µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 716pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 31W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPI80CN10N G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPI80CN10N G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPI80CN10N G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPI80CN10N G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった T700N18TOFXPSA1, TDB6HK180N16RRB48BPSA1, T1410N06TOFXPSA1, T830N16TOFXPSA1, T720N18TOFXPSA1, TDB6HK180N16RRPB11BPSA1, TD122N22KOFHPSA1, TD140N22KOFHPSA1, TT122N22KOFHPSA1, TT162N12KOFKHPSA1 SI7123DN-T1-GE3, PMCM4401VNEAZ, RW1E014SNT2R, 2N7002 TR13, SI1315DL-T1-GE3, NTGS3441T1G, RHU003N03T106, DMN60H080DS-7, SSM3J355R,LF, CSD25485F5.
購入 Infineon Technologies IPI80CN10N G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。