| 製造業者識別番号 | IPS118N10N G |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 116280 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IPS118N10N G.pdf |
| 部品番号 | IPS118N10N G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.8 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 83µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4320pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IPS118N10N G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IPS118N10N G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IPS118N10N G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IPS118N10N G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった SAE800GXLLA1, BCX53E6327HTSA1, BCX5216E6327HTSA1, BCX5310E6327HTSA1, BCV49E6327HTSA1, BSP62E6327HTSA1, BSP 52 E6327, BCP 53-16 E6327, BCR430UXTSA1, ILD2111XUMA2 2N7002AQ-7, RQ1A060ZPTR, BS870Q-7-F, SI4410BDY-T1-E3, NX3008PBK,215, BUK6217-55C,118, BUK6212-40C,118, DMN6013LFGQ-7, DMN65D8LFB-7, DMN65D8LFB-7B.
購入 Infineon Technologies IPS118N10N G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。