| 製造業者識別番号 | IRF6609 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 148090 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRF6609.pdf |
| 部品番号 | IRF6609 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2 mOhm @ 31A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.45V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 69nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6290pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRF6609 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRF6609, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRF6609, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRF6609, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった ICE2QR1065ZXKLA1, ICE3GS03LJGXUMA1, ICE3AR2280JZ1XKLA1, ICE3BR1065JXKLA1, TZ740N22KOFTIMHPSA1, STT2200N16P55XPSA1, SHRDIN7985M5X11HPSA1, SHRDIN7985M6X15HPSA1, SHRDIN933M8X18HPSA1, SHRDIN933M10X23HPSA1 IXFA80N25X3, STF26NM60N, FCH072N60F, IRFP4368PBF, STW50N65DM2AG, STW15NK90Z, STP25NM60ND, IRFP4468PBF, IXFH60N50P3, C3M0120090J.
購入 Infineon Technologies IRF6609 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。