| 製造業者識別番号 | IRFB33N15D |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 116960 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFB33N15D.pdf |
| 部品番号 | IRFB33N15D |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 150V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 56 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2020pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFB33N15D |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFB33N15D, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFB33N15D, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFB33N15D, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった BCR 183L3 E6327, BCR 183T E6327, BCR183WE6327HTSA1, BCR 185F E6327, BCR 185L3 E6327, BCR 185T E6327, BCR185WE6327BTSA1, BCR 189F E6327, BCR 189L3 E6327, BCR 189T E6327 IRFP17N50LPBF, IXFA20N85XHV, IRFBA90N20DPBF, TK39N60X,S1F, SPW24N60C3FKSA1, STP18NM80, SUP85N10-10-E3, STW23N85K5, IXFH42N50P2, IPW60R125CPFKSA1.
購入 Infineon Technologies IRFB33N15D 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。