| 製造業者識別番号 | IRFB4229PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 130120 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFB4229PBF.pdf |
| 部品番号 | IRFB4229PBF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 46A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 46 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 330W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFB4229PBF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFB4229PBF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFB4229PBF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFB4229PBF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった IR2131JTRPBF, IR2132JTRPBF, IR2130JTRPBF, IR2235JPBF, IR2235SPBF, IR2235STRPBF, IR2135JPBF, IRS2330DJTRPBF, IR2104S, IR2151 DMTH6010LK3-13, IRFR5410PBF, RSD140P06TL, FDD6690A, FQU20N06LTU, FDD850N10LD, FDMC8854, TPCC8103(TE12L,QM), SI5441BDC-T1-E3, FCU3400N80Z.
購入 Infineon Technologies IRFB4229PBF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。