| 製造業者識別番号 | IRFB5615PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 170610 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFB5615PBF.pdf |
| 部品番号 | IRFB5615PBF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 150V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 39 mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1750pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 144W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFB5615PBF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFB5615PBF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFB5615PBF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFB5615PBF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Infineon Technologies 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Infineon Technologies そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった AUIRS2124S, AUIRS21271S, AUIRS2127S, AUIRS21281S, AUIRS2128S, AUIRS21811S, AUIRS21814S, AUIRS2181S, AUIRS21844S, AUIRS2184S SI4463BDY-T1-E3, SI7322DN-T1-GE3, IRFH7446TRPBF, BS107P, BSC020N03LSGATMA1, NTB5605PT4G, FDS2582, FDD13AN06A0, IRFH5210TRPBF, STL7N60M2.
購入 Infineon Technologies IRFB5615PBF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。