| 製造業者識別番号 | IRFD024 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 14720 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | IRFD024.pdf |
| 部品番号 | IRFD024 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 640pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.3W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFD024 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 IRFD024, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 IRFD024, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます IRFD024, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Vishay Siliconix 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Vishay Siliconix そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった F1772SX232231MF0W0, F1778322K3FDB0, F339MX222231JDI2B0, F339MX224731KDI2B0, F339MX231031MDI2B0, F339MX232231KFM2B0, F339MX232231KFP2B0, F339MX233331KFM2B0, F339MX233331KFP2B0, F339X131533KF02W0 2N7002KW, DMP2004K-7, DMN53D0LQ-7, BSS223PWH6327XTSA1, RHU002N06T106, 2SK3018T106, RSE002N06TL, TSM2N7000KCT A3G, BSS670S2LH6327XTSA1, SIUD412ED-T1-GE3.
購入 Vishay Siliconix IRFD024 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。