| 製造業者識別番号 | IRFD214 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 193580 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 生産状況(ライフサイクル) | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード(D / C) | New |
| データシートダウンロード | IRFD214.pdf |
| 部品番号 | IRFD214 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 450mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 140pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | IRFD214 |
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