| 製造業者識別番号 | NDD03N60Z-1G |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 113080 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | NDD03N60Z-1G.pdf |
| 部品番号 | NDD03N60Z-1G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 312pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 61W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | NDD03N60Z-1G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 NDD03N60Z-1G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 NDD03N60Z-1G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます NDD03N60Z-1G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 1N6011B_T50R, 1N6012B_T50A, 1N6012B_T50R, 1N6013B_T50A, 1N6013B_T50R, 1N6014B_T50A, 1N6014B_T50R, 1N6015B_T50A, 1N6015B_T50R, 1N6016B_T50A SI3443BDV-T1-E3, BSC120N03MSGATMA1, PSMN7R5-30YLDX, PMV32UP,215, BSZ105N04NSGATMA1, SIA444DJT-T1-GE3, FDS8884, FDMA291P, SI2334DS-T1-GE3, DMT3020LFDF-7.
購入 ON Semiconductor NDD03N60Z-1G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。