製造業者識別番号 | RQ3E120BNTB |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
利用可能な数量 | 172870 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | RQ3E120BNTB.pdf |
部品番号 | RQ3E120BNTB |
---|---|
メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1500pF @ 15V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2W (Ta) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | RQ3E120BNTB |
QY Componentsには、最高の価格があります。 RQ3E120BNTB, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 RQ3E120BNTB, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます RQ3E120BNTB, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Rohm Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Rohm Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MCH032AN1R8CK, MCH032AN020CK, MCH032A2R2CK, MCH032AN2R7CK, MCH032AN030CK, MCH032AN3R3CK, MCH032AN3R9CK, MCH032AN040CK, MCH032AN4R7CK, MCH032AN050CK FCPF150N65F, FCP067N65S3, BTS282ZE3230AKSA2, FCP16N60N, SUG80050E-GE3, STI360N4F6, SIHG25N60EFL-GE3, STP27N60M2-EP, STI400N4F6, STFI28N60M2.
購入 Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。