| 製造業者識別番号 | STI11NM80 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 51590 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | STI11NM80.pdf |
| 部品番号 | STI11NM80 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1630pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 150W (Tc) |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | STI11NM80 |
QY Componentsには、最高の価格があります。 STI11NM80, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 STI11NM80, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます STI11NM80, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 STMicroelectronics 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます STMicroelectronics そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった M95512-DRMN6TP, M95512-RMB6TG, M95640-DRDW6TP, M95640-DRMC6TG, M24256-BFCS6TP/K, M95512-RMC6TG, M24C04-RDS6G, M24C04-RMB6TG, M24C32-FMB5TG, M27V160-100M1 IPP045N10N3GXKSA1, SUP53P06-20-E3, AUIRFS3107TRL, FDB035N10A, IPB025N08N3GATMA1, IRFP064NPBF, IXTA10P50PTRL, PSMN4R3-100PS,127, FDB031N08, IPB027N10N3GATMA1.
購入 STMicroelectronics STI11NM80 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。