| 製造業者識別番号 | STP10NM60N |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 30370 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | STP10NM60N.pdf |
| 部品番号 | STP10NM60N |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 70W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | STP10NM60N |
QY Componentsには、最高の価格があります。 STP10NM60N, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 STP10NM60N, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます STP10NM60N, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 STMicroelectronics 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます STMicroelectronics そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった STGIPNS3H60T-H, STGIPNS3HD60-H, STIPNS2M50T-H, STIPN1M50-H, STIPN2M50-H, STGIB30M60TS-L, STGIPQ3H60T-HLS, STGIPQ3H60T-HZS, STGIPN3H60-E, STGIPQ5C60T-HLS AO6405, RSU002P03T106, DMN3018SSS-13, MTM232270LBF, PMV50EPEAR, DMN4060SVT-7, SI8824EDB-T2-E1, SI2304DDS-T1-GE3, TSM2307CX RFG, DMP2104V-7.
購入 STMicroelectronics STP10NM60N 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。