| 製造業者識別番号 | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Memory America, Inc. |
| 製品カテゴリ | メモリ |
| 利用可能な数量 | 38660 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TC58BYG2S0HBAI6.pdf |
| 部品番号 | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| メモリー容量 | 4Gb (512M x 8) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
| アクセス時間 | 25ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 67-VFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TC58BYG2S0HBAI6 |
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